場效應管與三極管的區(qū)別:
1.場效應管和三極管的區(qū)別是電壓和電流控制,在性能方面,場效應管要明顯優(yōu)于普通三極管,不管是頻率還是散熱要求,只要電路設計合理,采用場效應管會明顯提升整體性能;
2.場效應管和三極管一樣都能實現(xiàn)信號的控制和放大,但由于他們構造和工作原理截然不同,所以二者的差異很大。在某些特殊應用方面,場效應管優(yōu)于三極管,是三極管無法替代的;
3.場效應管是單極型管子,即管子工作時要么只有空穴,要么只有自由電子參與導電,只有一種載流子;三極管是雙極型管子,即管子工作時內部由空穴和自由電子兩種載流子參與;
4.場效應管屬于電壓控制器件,沒有輸入電流也會有輸出電流;三極管屬于電流控制器件,有輸入電流才會有輸出電流;
5.場效應管輸入阻抗大;三極管輸入阻抗??;
6.場效應管的頻率特性不如三極管;
7.場效應管的噪聲系數(shù)小,適用于低噪聲放大器的前置級;
8.信號源電流小應該選用場效應管,反之則選用三極管更為合適。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機的應用開發(fā)及生產(chǎn),WP中低壓mos,并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
半導體工藝制程不斷縮小,MOS器件尺寸隨之不斷減小,當達到納米級別后,受功耗密度、散熱效率等因素影響,傳統(tǒng)MOS器件出現(xiàn)一系列性能問題,性能與可靠性會退化,無法滿足集成電路要求。圍柵硅納米線MOS器件具有優(yōu)良的柵控能力,在保持性能與可靠性方面更具優(yōu)勢,且具有良好的CMOS工藝兼容能力,因此成為MOS器件的重要發(fā)展方向。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機的應用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,中低壓mos價格,在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
MOS管在開關電路里面起到的作用就是控制電路的通斷和信號的轉換。MOS管大致可分為兩大類:N溝道和P溝道。
在N溝道MOS管電路里,BEEP引腳是高電平就可以導通使得蜂鳴器響應,低電平則是關閉蜂鳴器。P溝道MOS管來控制GPS模塊電源的通斷,GPS_PWR引腳是低電平的時候導通,GPS模塊則正常地供電,高電平時使得GPS模塊斷電。
P溝道MOS管在N型硅襯底上P+區(qū)有兩個:漏極和源極。這兩極彼此之間并不通導,當在接地時源極上加有足夠的正電壓,柵極下面的N型硅表面就會浮現(xiàn)出P型的反型層,變成連接漏極和源極的溝道。改變柵極的電壓可以使溝道里的空穴密度發(fā)生變化,因此來改變溝道電阻。這種就被稱為P溝道增強型場效應晶體管。
NMOS的特性,Vgs只要大于一定的數(shù)值便會導通,適用在源極接地的低端驅動的情況下,前提是柵極的電壓達到4V或著10V就行。
PMOS的特性,中低壓mos,與NMOS相反,在Vgs只要小于一定的數(shù)值便會導通,適用于源極接VCC時高i端驅動的情況下。但是,中低壓mos公司,由于替換種類少,導通電阻大,價格貴等原因,盡管PMOS可以非常方便地用作在高i端驅動的情況下,所以在高i端驅動中,一般都還是使用NMOS。
總的來說,MOS管有著很高的輸入阻抗,在電路中方便直接耦合,比較容易制作成為規(guī)模大的集成電路 。
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