公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

用電源IC立即驅(qū)動MOS管

一個好的MOS管驅(qū)動電路有下面幾點規(guī)定：

（1）開關(guān)管啟用瞬間，驅(qū)動電路應(yīng)能輸出非常大的電流，使MOS管柵源極間工作電壓快速升高到所需值，確保開關(guān)管能迅速開啟且不會有上升沿的高頻率震蕩。

（2）電源開關(guān)通斷期內(nèi)，驅(qū)動電路能確保MOS管柵源極間工作電壓長期保持，且有效通導(dǎo)。

（3）關(guān)閉一瞬間驅(qū)動電路，能供應(yīng)一個盡量低阻抗的通道，供MOS管柵源極間電容工作電壓的迅速泄流，確保開關(guān)管能迅速關(guān)閉。

（4）驅(qū)動電路構(gòu)造簡易靠譜、耗損小。

（5）依據(jù)具體情況開展防護。

在控制模塊電源中，常見的是電源IC直接驅(qū)動MOS管。應(yīng)用中，應(yīng)當(dāng)留意較大驅(qū)動高值電流量、MOS管的分布電容2個主要參數(shù)。電源IC的驅(qū)動能力、MOS分布電容尺寸、驅(qū)動電阻器電阻值都將危害MOS管電源開關(guān)速率。假如挑選MOS管分布電容較為大，電源IC內(nèi)部的驅(qū)動能力又不夠時，必須在驅(qū)動電路上提高驅(qū)動能力，常應(yīng)用圖騰柱電源電路提升電源IC驅(qū)動能力。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

mos管小電流發(fā)熱的緣故

1、電路原理的難題，便是讓MOS管工作中在線形的運行狀態(tài)，而不是在開關(guān)情況。這也是造成 MOS管發(fā)熱的一個緣故。假如N-MOS做開關(guān)，G級工作電壓要比開關(guān)電源高幾V，才可以徹i底通斷，中低壓mos價格，P-MOS則反過來。沒有徹i底開啟而損耗過大導(dǎo)致輸出功率耗費，等效電路直流電特性阻抗較為大，損耗擴大，因此U*I也擴大，耗損就代表著發(fā)熱。這也是設(shè)計方案控制電路的避諱的不正確。

2、頻率太高，主要是有時候太過追求完i美容積，造成 頻率提升，MOS管上的消耗擴大了，因此發(fā)熱也增加了。

3、沒有做到充足的排熱設(shè)計方案，電流太高，MOS管允差的電流值，一般必須保持良好的排熱才可以做到。因此ID低于較大電流，中低壓mos，也很有可能發(fā)熱比較嚴(yán)重，必須充足的輔助散熱器。

4、MOS管的型號選擇不正確，對輸出功率分辨不正確，MOS管內(nèi)電阻沒有考慮到，中低壓mos萬芯半導(dǎo)體，造成開關(guān)特性阻抗擴大。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，WP中低壓mos，所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。