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主營：單片機,MOS,大電流mos
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公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，大電流mos萬芯半導(dǎo)體，為您量身定制適合的芯片方案。
半導(dǎo)體工藝制程不斷縮小，MOS器件尺寸隨之不斷減小，當達到納米級別后，受功耗密度、散熱效率等因素影響，傳統(tǒng)MOS器件出現(xiàn)一系列性能問題，性能與可靠性會退化，無法滿足集成電路要求。圍柵硅納米線MOS器件具有優(yōu)良的柵控能力，在保持性能與可靠性方面更具優(yōu)勢，且具有良好的CMOS工藝兼容能力，大電流mos價格，因此成為MOS器件的重要發(fā)展方向。
公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，WP大電流mos，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。
說白了的過流保護，便是在輸出短路故障或過載時對電源或負荷開展維護，現(xiàn)階段對電源過流保護有多種方式，如恒流形、恒輸出功率型等，可是這種過流保護電路的制定都離不了MOS管，一款高的品質(zhì)的MOS管能夠提高電源過流保護的作用。
MOS管FET柵源保護：
1）避免 柵極 di/dt 過高
因為選用驅(qū)動集成ic，其輸出阻抗較低，蘇州大電流mos，直推功率管會造成推動的功率管迅速的開啟和斷連，有可能導(dǎo)致功率管漏源極間的工作電壓波動，或是有可能導(dǎo)致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預(yù)防以上問題的產(chǎn)生，一般在 MOS 控制器的導(dǎo)出與 MOS 管的柵極中間串連一個電阻器，電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。
2）避免 柵源極間過壓
因為柵極與源極的特性阻抗很高，漏極與源極間的工作電壓基因突變會根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓，此工作電壓會使非常薄的柵源空氣氧化層穿透，與此同時柵極非常容易累積正電荷也會使柵源空氣氧化層穿透，因此，要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下，保護 MOS 管不被穿透。
3）安全防護漏源極中間過壓
盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大，但假如漏源極不用保護電路，一樣有可能由于器件電源開關(guān)一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓，從而毀壞 MOS 管，功率管電源開關(guān)速率越快，造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞，一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護對策。
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