根據(jù)清洗介質(zhì)的不同,目前半導體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線。濕法清洗是針對不同的工藝需求,采用特定的化學藥液和去離子水,對晶圓表面進行無損傷清洗,以去除晶圓制造過程中的顆粒、自然氧化層、有機物、金屬污染、犧牲層、拋光殘留物等物質(zhì),可同時采用超聲波、加熱、真空等輔助技術(shù)手段;干法清洗是指不使用化學溶劑的清洗技術(shù),主要包括等離子清洗、超臨界氣相清洗、束流清洗等技術(shù)。
半導體設(shè)備泛指用于生產(chǎn)各類半導體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備,屬于半導體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵支撐環(huán)節(jié)。半導體設(shè)備是半導體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)先導者,半導體設(shè)備,芯片設(shè)計、晶圓制造和封裝測試等需在設(shè)備技術(shù)允許的范圍內(nèi)設(shè)計和制造,鹽城半導體氧化設(shè)備,設(shè)備的技術(shù)進步又反過來推動半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。半導體氧化設(shè)備以及一種制造半導體元件的方法,其能夠沿平面方向保持包含在半導體樣品內(nèi)的選擇氧化層的氧化量的均勻性, 并適當?shù)乜刂蒲趸俊?p>
干法清洗主要是采用氣態(tài)的刻蝕不規(guī)則分布的有結(jié)構(gòu)的晶圓二氧化硅層,半導體氧化設(shè)備公司,雖然具有對不同薄膜有高選擇比的優(yōu)點,半導體氧化設(shè)備供應(yīng)商,但可清洗污染物比較單一,目前在 28nm 及以下技術(shù)節(jié)點的邏輯產(chǎn)品和存儲產(chǎn)品有應(yīng)用。晶圓制造產(chǎn)線上通常以濕法清洗為主,少量特定步驟采用濕法和干法清洗相結(jié)合的方式互補所短,在短期內(nèi)濕法工藝和干法工藝無相互替代的趨勢,目前濕法清洗是主流的清洗技術(shù)路線,占比達芯片制造清洗步驟數(shù)量的 90%。
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