根據(jù)清洗介質(zhì)的不同,目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線。濕法清洗是針對不同的工藝需求,采用特定的化學(xué)藥液和去離子水,對晶圓表面進(jìn)行無損傷清洗,以去除晶圓制造過程中的顆粒、自然氧化層、有機(jī)物、金屬污染、犧牲層、拋光殘留物等物質(zhì),可同時采用超聲波、加熱、真空等輔助技術(shù)手段;干法清洗是指不使用化學(xué)溶劑的清洗技術(shù),半導(dǎo)體氧化設(shè)備廠家,主要包括等離子清洗、超臨界氣相清洗、束流清洗等技術(shù)。
在濕法清洗工藝路線下,目前主流的清洗設(shè)備主要包括單片清洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、組合式清洗設(shè)備和批式旋轉(zhuǎn)噴淋清洗設(shè)備等,半導(dǎo)體氧化設(shè)備供應(yīng)商,其中單片清洗設(shè)備市場份額占比高。濕法清洗工藝路線下主流的清洗設(shè)備存在程度的區(qū)分,主要體現(xiàn)在可清洗顆粒大小、金屬污染、腐蝕均一性以及干燥技術(shù)等標(biāo)準(zhǔn)。目前至純科技主要生產(chǎn)濕法清洗設(shè)備,提供槽式設(shè)備(槽數(shù)量按需配置)及單片機(jī)設(shè)備(8-12 反應(yīng)腔),均可以覆蓋 8-12 寸晶圓制造的濕法工藝設(shè)備。
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