公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
參考電壓可以來自于采樣電阻,也就是在NMOS的S極接一個(gè)大功率小電阻后接地,這個(gè)電阻做電流采樣,當(dāng)電流流過電阻后會(huì)形成電壓,把它放大處理后做參考。
剛開始的時(shí)候,中低壓mos,電流很小,所以控制電壓比參考電壓高很多,可以使管子迅速導(dǎo)通,在很短時(shí)間后,當(dāng)電流增大逐步達(dá)到某個(gè)值時(shí),參考電壓迅速上升,與控制電壓接近并超過時(shí),比較器就輸出低電平(接近0V)使管子截止,電流減小。然后電流減少后,參考電壓又下去,管子又導(dǎo)通,電流又增大。然后周而復(fù)始。
MOS管FET柵源保護(hù):
1)避免 柵極 di/dt 過高
因?yàn)檫x用驅(qū)動(dòng)集成ic,其輸出阻抗較低,直推功率管會(huì)造成推動(dòng)的功率管迅速的開啟和斷連,有可能導(dǎo)致功率管漏源極間的工作電壓波動(dòng),或是有可能導(dǎo)致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預(yù)防以上問題的產(chǎn)生,一般在 MOS 控制器的導(dǎo)出與 MOS 管的柵極中間串連一個(gè)電阻器,中低壓mos廠家,電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。
2)避免 柵源極間過壓
因?yàn)闁艠O與源極的特性阻抗很高,漏極與源極間的工作電壓基因突變會(huì)根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓,此工作電壓會(huì)使非常薄的柵源空氣氧化層穿透,與此同時(shí)柵極非常容易累積正電荷也會(huì)使柵源空氣氧化層穿透,因此,要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下,保護(hù) MOS 管不被穿透。
3)安全防護(hù)漏源極中間過壓
盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大,但假如漏源極不用保護(hù)電路,一樣有可能由于器件電源開關(guān)一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓,從而毀壞 MOS 管,功率管電源開關(guān)速率越快,中低壓mos萬芯半導(dǎo)體,造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞,一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護(hù)對策。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
MOS管導(dǎo)通的意思就是將其做為開關(guān),等同于開關(guān)合閉。NMOS的特點(diǎn)是當(dāng)Vgs超過限定的值時(shí)就會(huì)導(dǎo)通,適用與源極接地裝置的狀況,只需柵壓電壓做到4V或10V就可以了。而PMOS的特點(diǎn)則是當(dāng)Vgs低于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適用與源極接Vcc的狀況??墒牵M管PMOS能夠很便捷的作為高i檔驅(qū)動(dòng),WP中低壓mos,但因?yàn)閷?dǎo)通電阻器大、價(jià)錢成本高、更換類型少等緣故,在高i檔驅(qū)動(dòng)中,一般都用NMOS。
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