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日照微弧技術(shù)有限公司
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ZL205A微弧氧化膜層耐蝕性能研究
利用硅酸鹽復(fù)合電解液體系，在ZL205A上采用微弧氧化法制備膜層。
所用的工藝參數(shù)為：恒流控制，電流密度3 A/dm^2，頻率500 Hz，終止電壓450 V。利用掃描電鏡對該膜層的形貌及結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析；對膜層的化學(xué)成分進(jìn)行分析；采用極化曲線評價膜層的耐蝕性。
結(jié)果表明：所制備的微弧氧化膜層能提高ZL205A的耐蝕性。
時間對微弧氧化封孔膜層增厚的影響
在其他工藝參數(shù)相同的情況下，不同封閉時間對陶瓷膜膜層增厚的影響。封閉時間較短時，鈦合金微弧氧化技術(shù)，膜層增厚較少；隨著時間的延長，膜層逐漸增厚；但是封閉時間過長，如封閉時間超過60min后，微弧氧化技術(shù)優(yōu)點，膜層增厚并不顯著，而且有下降的趨勢。
日照微弧技術(shù)有限公司秉承“真誠服務(wù)、信譽(yù)為先”的經(jīng)營理念，非常注重產(chǎn)品質(zhì)量，贏得了廣大客戶的一致好評，微弧氧化技術(shù)，竭誠歡迎新老客戶前來洽談、惠顧！
用正交試驗法，對影響7075鋁合金微弧氧化膜層致密性的電參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。以膜層厚度和孔隙率作為指標(biāo)，以正向電壓、電流密度、正占空比和脈沖頻率作為因素設(shè)計，并開展了四因素三水平的正交試驗。使用掃描電鏡對正交試驗后微弧氧化陶瓷膜層的表面形貌進(jìn)行了觀察；利用Image J軟件對陶瓷膜層的膜層厚度及孔隙率進(jìn)行測量。
結(jié)果表明：影響微弧氧化陶瓷膜層厚度的電參數(shù)順序從大到小依次為：正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率；
影響微弧氧化膜層孔隙率的電參數(shù)順序從大到小依次為：正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率；
采用綜合平衡法確定的電參數(shù)的優(yōu)化結(jié)果為：正向電壓550V、電流密度8 A/dm^2、正占空比20%、頻率400Hz。
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第6年
